По данным Gizmochina , компания SMIC разработала 7-нм технологию второго поколения для производства чипов, которая может быть использована для производства чипов для смартфонов. Кроме того, компания в настоящее время проводит исследования по технологиям производства чипов по 5 и 3 нм.
SMIC стремится совершить прорыв, производя 3-нм чипы с помощью DUV-машин.
Исследование проводится силами научно-исследовательской группы компании под руководством содиректора Лян Монг-Суна, известного специалиста по полупроводникам, который работал в TSMC и Samsung и считается одним из самых ярких умов в полупроводниковой отрасли.
Это означает, что существующие ограничения не полностью остановят SMIC от разработки более совершенных чипов по нормам, превышающим 7 нм. Они лишь замедляют прогресс компании, хотя сочетание ряда факторов помогло SMIC преодолеть эти трудности.
В настоящее время SMIC занимает пятое место в отрасли по контрактному производству микросхем. Компания лишилась доступа к самым передовым инструментам для производства пластин, что серьёзно ограничило её возможности по внедрению новых технологических процессов. В частности, из-за санкций США компания не смогла приобрести у ASML оборудование для литографии в экстремальном ультрафиолете (EUV), что привело к вынужденной литографии в глубоком ультрафиолете (DUV) для производства микросхем второго поколения по 7-нм техпроцессу.
Литографический станок ASML Twinscan NXT:2000i — лучший на сегодняшний день инструмент SMIC. Он способен травить с разрешением до 38 нм — уровнем точности, достаточным для создания шаблонов для 7-нм чипов. ASML и IMEC утверждают, что для производства 5-нм и 3-нм чипов требуемое разрешение составит 30–32 нм и 21–25 нм соответственно.
Для производства микросхем с нормами менее 7 нм без использования EUV-лазерной технологии (EUV) компании SMIC потребуется внедрить сложный процесс многошаблонной печати, что может повлиять на выход годных изделий и привести к износу производственного оборудования. Стоимость использования нескольких шаблонов также довольно высока. Несмотря на это, SMIC намерена перейти на производство микросхем с нормой 3 нм. В случае успеха производство 3-нм микросхем с использованием только DUV-лазерной технологии станет важным достижением для китайского производителя.
Ссылка на источник
Комментарий (0)