Samsung разрабатывает новую маломощную DRAM

По данным Extremetech , Samsung предлагает использовать новую DRAM в первую очередь в системах искусственного интеллекта на основе больших языковых моделей (LLM), хотя эта память также подходит для других рабочих нагрузок.

Будет ли технология памяти LLW DRAM использоваться в смартфонах, ноутбуках или беспилотных автомобилях?

С точки зрения технических характеристик LLW DRAM — это маломощная память с высокими возможностями ввода-вывода, низкой задержкой и пропускной способностью 128 ГБ/с на модуль. Это сопоставимо с комбинацией памяти DDR5-8000 и 128-битной шины. Одной из ключевых особенностей LLW DRAM является ее низкое энергопотребление 1,2 пДж/бит, хотя компания не раскрывает, на какой скорости передачи данных было измерено это значение.

Samsung пока не раскрывает конкретных технических подробностей о LLW DRAM, но поскольку компания уже некоторое время разрабатывает широкоинтерфейсную память, такую ​​как GDDR6W, вполне возможно, что Samsung объединит емкость нескольких таких модулей DRAM в один корпус с использованием технологии FOWLP (Fan-Out Wafer-Level Packaging) для увеличения пропускной способности интерфейса и снижения энергопотребления.

Samsung стандартизировала память GDDR6W во втором квартале 2022 года и планирует использовать ее в системах искусственного интеллекта или высокопроизводительных вычислительных системах (HPC), поэтому вполне вероятно, что LLW DRAM будет использоваться в периферийных вычислительных устройствах для систем искусственного интеллекта, таких как смартфоны, ноутбуки и даже системы беспилотных автомобилей.

Samsung редко раскрывает, когда ее перспективные технологии выйдут на рынок, поэтому неясно, когда LLW DRAM будет доступна в реальных устройствах. Однако, поскольку Samsung опубликовала подробности об ожидаемой производительности технологии, разработка LLW DRAM может быть почти завершена.

Ссылка на источник: https://thanhnien.vn/samsung-phat-trien-dram-moi-tieu-thu-dien-nang-thap-185240112142731563.htm