워크숍 개막식에서 호아락 하이테크 파크 관리위원회 쩐 닥 쭝 부위원장은 현재 반도체는 정부가 우선순위로 두고 개발을 장려하는 분야 중 하나라고 말했습니다. 따라서 이 산업의 발전을 위한 필수 여건을 마련해야 하며, 특히 인적 자원 교육이 핵심 요소 중 하나라고 강조했습니다.
호아락 하이테크 파크의 반도체 산업 인적자원 개발은 항상 파크 내 학교, 연구소, 기업의 실무와 긴밀히 연계되어 있습니다. 현재까지 호아락 하이테크 파크는 등록 자본금 50억 달러가 넘는 108건의 투자 프로젝트를 진행했습니다. 호아락 하이테크 파크의 간부, 전문가, 근로자, 학생 수는 약 25,000명입니다.
호아락 하이테크 파크의 프로젝트들은 특히 수도권과 국가 전체의 사회 경제적 발전에 크게 기여해 왔습니다. 특히, 이러한 프로젝트들은 대학, 교육기관, 연구소, 생산 기업 간의 연계를 형성하고, 연구원, 학교, 기업이라는 세 축을 연결하는 데 효과적이었습니다.
호아락 하이테크 파크 관리 위원회 부위원장인 Tran Dac Trung 씨가 이 행사에서 연설했습니다. |
호아락 하이테크 파크의 사명은 기술 개발, 혁신, 기술 창조, 스타트업 기업 육성이며, 호아락 하이테크 파크 관리 위원회는 호아락 하이테크 파크에 참여하는 투자자, 기업, 전문가, 근로자, 학생의 역할을 항상 인식하고 있습니다.
호아락 하이테크 파크는 이러한 핵심 목표를 지원하기 위한 서비스 구역을 계획했습니다. 올해와 내년에 호아락 하이테크 파크 관리위원회는 호아락 하이테크 파크에서 공부하는 전문가, 연구원, 기업, 학생들의 요구를 충족하는 데 필요한 사회 기반 시설을 개발하는 프로젝트 유치를 위한 포트폴리오 구축에 집중할 것입니다.
이사회는 또한 행정 개혁을 추진하고, 인프라와 경관을 조성하고 아름답게 하는 정신에 따라 절차를 간소화하며, 동시에 투자자, 기업 및 파트너가 호아락 하이테크 파크에서 협력하고 투자할 수 있는 최상의 조건을 조성하기 위한 적절한 메커니즘과 정책을 정기적이고 적극적으로 제안하고 개발합니다.
워크숍에서는 호아락 하이테크 파크가 현재 베트남의 대표적인 기술 기업인 Viettel, FPT, Mobifone, Vinaphone,CMC 와 베트남-한국 과학기술연구원(V-KIST), 국가혁신센터(NIC)와 같은 대규모 연구 및 육성 시설을 모아 반도체 산업 투자의 "흐름을 잡기"에 많은 이점이 있다는 의견이 나왔습니다.
특히 첨단 산업의 발전은 전문가, 엔지니어, 그리고 숙련된 인력으로 구성된 팀의 기여를 필요로 합니다. 이러한 측면에서 호아락 하이테크 파크는 고급 인력 수요를 충족할 수 있습니다. FPT 대학교는 이 파크 내 반도체를 포함한 기술 분야에서 약 1만 명의 학생을 교육하고 있습니다. 또한, 자본법은 첨단 기술을 포함한 과학기술 발전을 구체적으로 규정하고 있습니다.
국가혁신센터(NIC) 부소장인 보 쑤언 호아이 박사는 반도체 산업 인적자원 개발 계획과 방향에 대해 공유하며, 기획투자부가 주관하는 "2030년까지 반도체 산업 인적자원 개발, 2050년까지의 비전" 프로젝트가 반도체 산업에 약 5만 명의 엔지니어가 필요할 것으로 전망했다고 밝혔습니다. 이 프로젝트는 또한 민간 부문과 지방 정부가 인적자원 교육 및 개발 과정에 참여할 수 있음을 보여줍니다. 현재 박닌성, 박장성 등은 학습자들의 교육 프로그램 참여를 위한 자금 지원에 선구적인 역할을 하고 있습니다. 하노이가 이 산업의 인적자원 개발을 위한 더욱 획기적인 프로그램을 개발할 것으로 기대합니다.
워크숍에서는 호아락 하이테크 파크 관리위원회가 반도체 산업 인력 양성을 위해 국립-학교-기업의 세 주체를 연결하는 데 중요한 역할을 한다는 의견도 제시되었습니다. 또한, 호아락 하이테크 파크는 해외 파트너에도 관심을 기울여야 하며, 투자자를 위한 지원 체계 및 조치(노동 훈련 활동, 연구개발 활동 지원, 비즈니스 서비스 접근 및 이용 지원 등)를 유관 당국에 제안할 수 있어야 합니다.
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출처: https://nhandan.vn/khu-cong-nghe-cao-hoa-lac-co-nhieu-loi-the-de-don-song-dau-tu-nganh-ban-dan-post821828.html
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