وفقًا لموقع Wccftech ، صرّح نائب رئيس تطوير التكنولوجيا في إنتل، سانجاي ناتاراجان، في مقابلة حديثة، بأن الشركة تستعد لإنتاج رقائق 2 نانومتر العام المقبل، والتي تحمل اسم Intel 20A. وفي تصريحه، قال ناتاراجان: "سنبدأ الإنتاج الضخم لرقائق 2 نانومتر في عام 2024، وستعود الشركة إلى ريادة تكنولوجيا التصغير".
خريطة طريق تصنيع الرقائق التي تهدف إليها شركة إنتل
هذا تصريح جريء، ولكنه يعني أيضًا التزام الشركة بخطتها. والأهم من ذلك، أنه يضع إنتل في صدارة سباق رقائق 2 نانومتر على TSMC بسنوات، حيث لن تتمكن TSMC من إحراز تقدم في رقائق الجيل التالي بتقنية 3 نانومتر حتى العام المقبل. ومن المتوقع أيضًا أن تبدأ TSMC إنتاج رقائق 2 نانومتر في وقت مبكر من عام 2025، على الرغم من أن الشائعات تشير إلى إمكانية تأجيل ذلك إلى عام 2026.
انضمت سامسونج أيضًا إلى السباق، مُعلنةً عن خططها لبدء إنتاج رقائق 2 نانومتر بحلول عام 2025، مما يعني أن إنتل قد تتفوق عليها أيضًا. وأعلنت الشركة الكورية الجنوبية أنها تستهدف شركة TSMC في سباق رقائق 2 نانومتر، مُشيرةً إلى أنها لا ترى في هدف إنتل تهديدًا كبيرًا.
إذا حققت إنتل هدفها المتمثل في بدء إنتاج معالجات 20A العام المقبل، فسيُمكّنها ذلك من تسليم أولى شرائحها الحاسوبية المبنية على تقنية 2 نانومتر في النصف الثاني من عام 2024. ومن المتوقع إطلاق شرائح Arrow Lake في ذلك الوقت. بخلاف معالجات Meteor Lake، التي بُنيت بتقنية 4 نانومتر من إنتل (كانت تُعرف سابقًا باسم 7 نانومتر)، سيتم بناء Arrow Lake باستخدام تقنية ترانزستور RibbonFET gate-all-around (GAA) بدلاً من FinFET.
نظريًا، تشير خارطة الطريق إلى أن إنتل قد تبدأ إنتاج شرائح 20A خلال الأشهر الستة المقبلة. وفي حال حدوث ذلك، ستكون الشركة متقدمة بعام على الأقل على شركة TSMC في إنتاج أول شرائحها بتقنية 2 نانومتر، وهو إنجازٌ بارز للرئيس التنفيذي جيلسنجر.
[إعلان 2]
رابط المصدر
تعليق (0)