기즈모차이나 에 따르면 SMIC는 스마트폰 칩 생산에 사용할 수 있는 2세대 7nm 칩 기술을 개발했다고 합니다. SMIC는 이에 그치지 않고 현재 5nm 및 3nm 칩 제조 기술 연구를 진행하고 있습니다.
SMIC는 DUV 장비를 이용해 3nm 칩을 생산해 획기적인 발전을 이루고자 노력하고 있습니다.
이 연구는 회사의 R&D 팀에서 내부적으로 진행하고 있으며, TSMC와 삼성에서 근무한 유명 반도체 과학자 이자 반도체 산업에서 가장 뛰어난 인재 중 한 명으로 여겨지는 공동 CEO인 량몽송이 이끌고 있습니다.
즉, 현재의 제약 조건이 SMIC가 7nm 이상의 첨단 칩 개발을 완전히 막지는 못할 것이라는 의미입니다. 이는 단순히 회사의 발전 속도를 늦추는 것일 뿐이지만, 여러 요인이 복합적으로 작용하여 SMIC가 이러한 어려움을 극복하는 데 도움을 주었습니다.
SMIC는 현재 업계 5위의 반도체 위탁 생산업체입니다. 최첨단 웨이퍼 제조 장비에 대한 접근성을 상실하면서 새로운 공정 기술을 도입하는 데 상당한 제약을 받았습니다. 특히 미국의 제재로 인해 ASML로부터 극자외선(EUV) 노광 장비를 확보하지 못해 2세대 7nm 칩 제조 공정에는 심자외선(DUV) 노광 장비만 사용해야 하는 상황에 놓였습니다.
ASML Twinscan NXT:2000i 리소그래피 장비는 SMIC가 지금까지 선보인 최고의 장비입니다. 최대 38nm의 제조 분해능으로 식각할 수 있는데, 이는 7nm 칩 패턴을 제작하기에 충분한 정밀도입니다. ASML과 IMEC은 5nm 및 3nm 칩 생산에 필요한 제조 분해능이 각각 30~32nm 및 21~25nm라고 밝혔습니다.
EUV 없이 7nm 이하 칩 생산을 달성하려면 SMIC가 복잡한 멀티 패터닝 공정을 도입해야 하는데, 이는 수율에 영향을 미치고 제조 장비의 마모를 초래할 수 있습니다. 또한 여러 패턴을 사용하는 데 드는 비용 또한 상당히 높습니다. 그럼에도 불구하고 SMIC는 3nm 칩 생산을 추진할 계획입니다. EUV만 사용하여 3nm 칩을 생산하는 것이 성공한다면, 이는 중국 제조업체에 중요한 이정표가 될 것입니다.
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