Galaxy S25 Plus будет оснащен чипом Snapdragon 8 Elite

S25 Plus — одна из трех флагманских моделей, которые Samsung представит пользователям в начале 2025 года. Недавно был опубликован ряд сведений о продукте.

Совсем недавно S25 Plus появился на Geekbench с чипом Snapdragon 8 Elite с впечатляющими результатами. Этот результат обещает значительно повысить производительность по сравнению с его предшественником, Galaxy S24 Plus.

Galaxy S25 Plus будет оснащен чипом Snapdragon 8 Elite

Соответственно, S25 Plus набрал впечатляющие 3160 баллов в одноядерном тесте и 9941 балл в многоядерном тесте. Этот результат значительно выше, чем в предыдущем тесте, когда S25 набрал 2481 и 8658 баллов в аналогичных тестах.

Производительность S25 Plus даже близка к эталонному чипу Qualcomm Snapdragon 8 Elite, что демонстрирует стремление Samsung максимально раскрыть потенциал чипа.

В списке Geekbench подтверждается наличие чипсета Snapdragon 8 Elite для Galaxy с тактовой частотой 4,47 ГГц (по сравнению с 4,32 ГГц у стандартной версии).

Ходят слухи, что Samsung Galaxy S25 Plus будет иметь аккуратную заднюю панель с вертикальным тройным массивом камер с небольшим изменением. Ожидается, что кластер задней камеры будет иметь дизайн с более толстой черной рамкой, окружающей объектив.

Ожидается, что S25 Plus будет оснащен 6,7-дюймовым дисплеем LTPO с адаптивной частотой обновления от 1 Гц до 120 Гц. По размерам телефон может немного отличаться от S24 Plus, имея размеры около 158,4 x 75,7 x 7,3 мм, и может быть примерно на 0,44 мм тоньше своего предшественника.

По данным инсайдера Ice Universe, Galaxy S25 Plus будет иметь батарею емкостью 4900 мАч, аналогичную предшественнику. По слухам, устройство будет иметь 12 ГБ оперативной памяти и не менее 256 ГБ встроенной памяти.

Ожидается, что серия S25 будет запущена 22 или 23 января 2025 года.

Источник: https://kinhtedothi.vn/galaxy-s25-plus-se-duoc-trang-bi-chip-snapdragon-8-elite.html