ChangXin Memory Technologies (CXMT) gab bekannt, dass es Chinas ersten fortschrittlichen Dual-Data-Rate-DRAM-Speicherchip (LPDDR5) erfolgreich produziert hat, ähnlich der 2018 von Samsung Electronics eingeführten Generation von Speicherchips.

Der Durchbruch kommt, als die USA ihre High-Tech-Exporte einschränken, um Pekings Entwicklung im Halbleitersektor zu behindern.

China ist bisher der Zugang zu wichtigen High-End-Lithographiesystemen von ASML sowie einigen Zulieferern aus Japan verwehrt.

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Der DRAM von CXMT gilt als genauso leistungsstark wie das 2018 eingeführte Samsung-Produkt.

Laut CXMT aus Hefei wird eines ihrer Produkte, eine 12-Gigabyte-Version (GB), von chinesischen Smartphone-Unternehmen wie Xiaomi und Transsion verwendet.

Das Unternehmen gibt an, dass der neue Speicherchip eine 50-prozentige Verbesserung der Datenübertragungsgeschwindigkeit und -kapazität im Vergleich zu seinem bisherigen Low-Power-DDR4X bietet und gleichzeitig den Stromverbrauch um 30 Prozent senkt.

Zuvor überraschte der festlandchinesische Technologieriese Huawei Technologies die Welt mit seinem Smartphone-Modell Mate 60 Pro, das mit fortschrittlichen, im Inland hergestellten Chips ausgestattet war.

Analyseberichte Dritter kommen zu dem Schluss, dass der Chip von Chinas führender Chipgießerei SMIC hergestellt werden könnte.

Diese Woche kündigte Loongson, ein auf die Entwicklung zentraler Prozessorchips spezialisiertes Unternehmen, außerdem den 3A6000-Chip an, dessen Leistung der von Intel-CPUs des Jahres 2020 entspricht.

CXMT wurde 2016 gegründet und stellt Chinas größte Hoffnung dar, mit südkoreanischen Speicherchip-Giganten wie Samsung Electronics und SK Hynix sowie Micron Technology auf dem globalen DRAM-Markt gleichzuziehen.

Samsung stellte 2018 den branchenweit ersten 8-GB-LPDDR5-Chip vor und aktualisierte ihn 2021 auf Basis eines 14-nm-Prozesses auf einen 16-GB-LPDDR5X-Chip, der Datenverarbeitungsgeschwindigkeiten von bis zu 8.500 Megabit pro Sekunde liefert, 1,3-mal schneller als die Vorgängergeneration.

SK Hynix begann im März 2021 mit der Massenproduktion von LPDDR5-Mobil-DRAM, während Micron Anfang 2020 LPDDR5-Chips ankündigte, die angeblich in Xiaomis Mi 10-Smartphone zum Einsatz kommen würden.

Gemäß den neuen US-Vorschriften, die im Oktober aktualisiert wurden, stehen eine Reihe wichtiger Chip-Foundry-Geräte, darunter Lithographie, Ätzung, Abscheidung, Implantation und Reinigung, alle auf der Exportbeschränkungsliste, wodurch Pekings Halbleiterproduktionskapazität auf das niedrigste Niveau beschränkt wird, etwa 14 nm für Logikchips, 18 nm Half-Pitch für DRAM oder kleiner und 128 Schichten für 3D-NAND-Speicherchips.

(Laut SCMP)

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